NTMFS5C670NLT3G-HXY_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤(pán) 參數(shù)1：ID:80A 參數(shù)2：VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:5.3mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具有80A的連續(xù)漏極電流（ID）、60V的漏源擊穿電壓（VDSS）、5.3毫歐的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)），以及20V的最大柵源電壓（VGS）。其低導(dǎo)通電阻有助于減少功率損耗，提升系統(tǒng)效率，同時(shí)支持較高的電流密度。適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、不間斷電源及各類(lèi)中高功率電子設(shè)備中的開(kāi)關(guān)應(yīng)用，在高頻操作下仍能保持良好的熱性能和穩(wěn)定性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話(huà)：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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