AON7702_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:35A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:7.5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有35A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為7.5mΩ。其較低的導通電阻有助于減小導通損耗，提升系統效率并改善熱表現。適用于對效率和緊湊布局有要求的電源管理電路，如直流-直流轉換器、負載開關及同步整流等應用，在高頻或大電流工作條件下可維持穩定可靠的運行特性。
