NTMFS4C029NAT1G_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.7mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道MOSFET具有80A的連續漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS）、4.7mΩ的導通電阻（RDS(ON)）以及20V的最大柵源電壓（VGS）。低導通電阻有助于顯著降低通態損耗，提升系統效率，適用于高電流、中低電壓的開關電路。其電氣特性適合在高頻或大電流條件下穩定工作，可應用于電源管理、電機驅動及高效能電子設備中的功率控制模塊。
