STD90N03L-HXY_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:80A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:5mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道MOSFET具備80A的連續(xù)漏極電流和30V的最大漏源電壓，導(dǎo)通電阻為5毫歐，在高電流應(yīng)用中可有效降低導(dǎo)通損耗。其電氣特性適合用于高頻開關(guān)場(chǎng)合，能夠維持較低的溫升與能量損耗。典型應(yīng)用場(chǎng)景包括開關(guān)電源、電機(jī)控制、電池管理系統(tǒng)及各類高效能電力電子裝置，尤其適用于對(duì)體積和效率有較高要求的設(shè)計(jì)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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