BSZ0910LSATMA1-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:70A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:3.5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備70A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）僅為3.5毫歐。如此低的導通電阻顯著降低了導通狀態下的功率損耗，有利于提升系統效率并減少散熱需求。該器件適用于需要高電流承載能力與高效能開關特性的場合，如電源轉換模塊、電池管理系統及高性能計算設備中的供電電路，能夠支持穩定可靠的電力傳輸與控制。
