IRLH7134TRPBF-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN5X6-8L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數1:ID:130A 參數2:VDSS:40V 參數3:RDON:2.8mR 參數4:TYPE:N-ch 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具有130A的連續漏極電流(ID)和40V的漏源擊穿電壓(VDSS),導通電阻(RDS(ON))低至2.8毫歐。其極低的導通電阻有效降低了導通損耗,在大電流工作條件下仍能保持較高的能效與較低的溫升。適用于對功率處理能力和熱性能要求較高的應用場景,如高效電源系統、電機驅動電路以及高密度電子設備中的功率開關和同步整流功能。
