RQ3E120BNTB-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:45A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:6mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET的漏極連續電流（ID）為45A，最大漏源電壓（VDSS）為30V，導通電阻（RDS(ON)）低至6毫歐，柵源電壓（VGS）額定值為±20V。憑借其低導通電阻和高電流承載能力，適用于高效率電源轉換、電池管理系統、電機控制及各類開關電路中。器件在高頻開關條件下仍能維持較低的功率損耗，有助于提升整體系統能效與熱穩定性。
