FDD8874_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤(pán) 參數(shù)1：ID:100A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:3.8mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道MOSFET具有100A的連續(xù)漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）低至3.8毫歐。在高電流工作條件下，其低導(dǎo)通電阻有助于顯著降低導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)效率并減少發(fā)熱。適用于對(duì)功率密度和熱性能要求較高的場(chǎng)合，如開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池管理系統(tǒng)及高頻同步整流等應(yīng)用，能夠支持緊湊型電路設(shè)計(jì)與高效能量轉(zhuǎn)換。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話(huà)：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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