STD5NK50ZT4-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:5A 參數2：VDSS:500V 參數3：RDON:1300mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有5A的連續漏極電流（ID）和500V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為1300mΩ。器件適用于中等功率開關場景，其電壓與電流規格使其能夠在較高電壓環境下穩定工作，同時保持合理的導通損耗。由于具備標準N溝道結構，可廣泛用于電源管理、負載開關及各類電子設備中的功率控制環節，滿足對可靠性和效率有一定要求的應用需求。
