FDMS0355S-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.3mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具有60A的連續漏極電流（ID），最大漏源電壓（VDSS）為30V，導通電阻（RDS(on)）低至4.3毫歐，在柵源電壓（VGS）為20V時實現優化導通性能。其極低的導通電阻有效降低導通損耗，適用于高效率、大電流的電源管理、電機驅動及高頻開關等應用場合。器件在緊湊型電路設計中可提供良好的熱穩定性和電氣特性，適合對能效和空間有較高要求的電子系統。
