AMR430N-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.3mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具備30V的漏源擊穿電壓（VDSS），在柵源電壓（VGS）為20V時，導通電阻（RDS(ON)）僅為4.3毫歐，可承載高達60A的連續漏極電流（ID）。其極低的導通電阻有效降低導通損耗，適用于高效率、大電流的電源轉換與配電系統。器件在高頻開關條件下仍能維持良好的動態特性，適合用于對熱管理和空間布局要求嚴苛的電子設備中，如服務器電源、便攜式儲能裝置及高性能計算平臺的供電模塊。
