SI7718DN-T1-GE3-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:40A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有40A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至5毫歐。器件適用于對導通損耗敏感的高效率電源轉換場景，其低阻抗特性有助于減少發熱并提升系統整體能效。由于具備較高的電流承載能力和較低的導通壓降，該MOSFET可廣泛用于各類直流開關電路、負載控制模塊及高效同步整流結構中，滿足對功率密度與熱性能有較高要求的應用需求。
