AON7754_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:120A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:2.9mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具備120A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）僅為2.9毫歐。其低導通電阻有效降低導通損耗，在高電流工作條件下仍能維持較低溫升。適用于對效率和熱性能要求較高的電源轉換系統，如服務器供電、通信設備電源模塊以及便攜式儲能裝置中的同步整流與開關控制環節，能夠支持快速開關操作并保持穩定運行。
