RQ3E150BNTB-HXY_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:70A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:3.5mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有70A的連續(xù)漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）低至3.5毫歐。器件采用優(yōu)化的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，在高電流工作條件下仍能保持較低的導(dǎo)通損耗，適用于對效率和熱性能要求較高的電源管理場景。其低RDS(ON)特性有助于減少功率耗散，提升系統(tǒng)整體能效，適合用于各類中低壓開關(guān)應(yīng)用中的高效功率轉(zhuǎn)換與控制環(huán)節(jié)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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