PHD101NQ03LT-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:100A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:3.8mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備100A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導通電阻僅為3.8毫歐。其極低的RDS(ON)有效降低了導通狀態下的功率損耗，有助于提升整體能效并減少散熱需求。適用于高電流、高效率要求的電源管理場景，如服務器電源、通信設備供電模塊及高性能計算平臺中的負載開關與同步整流應用。器件在大電流工作條件下仍能維持穩定性能，適合對熱性能和空間布局有嚴苛要求的設計。
