NTD4979NT4G-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:7mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET支持60A的連續漏極電流，最大漏源電壓為30V，導通電阻典型值為7毫歐。憑借較低的導通電阻和較高的電流承載能力，器件在導通狀態下的功率損耗較小，有助于提升系統效率。適用于高電流、高頻率工作的電源轉換、電機控制及各類開關電路中，能夠在緊湊布局下維持良好的熱性能與電氣穩定性。
