SIS782DN-T1-GE3-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:35A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:7.5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具備35A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），在柵源電壓驅動下導通電阻（RDS(ON)）為7.5mΩ。其低導通阻抗有助于減少功率損耗，提升系統效率，適用于電源管理、電池供電設備、電機控制及各類高頻率開關電路中，能夠在緊湊布局下維持良好的熱性能與電氣穩定性。
