PHD101NQ03LT,118_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:100A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:3.8mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備100A的連續(xù)漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導通電阻僅為3.8毫歐。其極低的RDS(ON)有效降低了導通狀態(tài)下的功率損耗，有助于提升整體能效并減少散熱需求。適用于高電流、高效率要求的電源管理場景，如服務器電源、通信設備供電模塊及高性能計算平臺中的負載開關與同步整流應用。器件在大電流工作條件下仍能維持穩(wěn)定性能，適合對熱性能和空間布局有嚴苛要求的設計。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
