SI7860DP-T1-GE3-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:50A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:6.5mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）支持50A的連續漏極電流，最大漏源電壓為30V，導通電阻為6.5毫歐，柵源電壓額定值為20V。其低導通電阻有助于減小導通狀態下的功率損耗，在高電流工作條件下維持較低溫升。適用于開關電源、電機驅動、電池管理系統及各類需要高效能功率開關的電子設備中，能夠滿足頻繁開關和穩定導通的運行需求。
