G050P03K_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:120A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:3mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具有120A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至3mΩ，適用于大電流、低電壓工作環境。其極低的導通阻抗可有效減少功率損耗與溫升，在高效率電源轉換、同步整流、負載開關及高密度功率模塊等應用中表現出良好的電氣性能和熱穩定性。
