MCU80N03-TP_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:120A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:3mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有120A的連續漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS）以及3毫歐的導通電阻（RDS(ON)）。低導通電阻有效降低導通損耗，提升整體能效，適用于高電流、高效率要求的電源轉換、同步整流、電機驅動及大功率便攜設備等應用。其結構設計兼顧了開關性能與熱穩定性，適合在緊湊布局中實現高功率密度的電路方案。
