NTD4809NAT4G_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:7mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET支持60A的連續漏極電流，最大漏源電壓為30V，導通電阻低至7毫歐。憑借極低的導通電阻，器件在大電流工作時產生的功耗較小，有助于提升系統整體效率并簡化熱設計。其電氣特性適合用于高效率電源轉換、電池供電設備中的功率開關以及對體積和溫升敏感的緊湊型電子系統，能夠可靠地實現快速開關與穩定導通。
