NTMFS4841NHT1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:80A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:4.7mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
該N溝道MOSFET支持80A的連續(xù)漏極電流，最大漏源電壓為30V，導(dǎo)通電阻僅為4.7mΩ，在柵源電壓達20V時仍保持穩(wěn)定工作。其極低的導(dǎo)通電阻有效降低導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)效率，適用于高電流密度的電源轉(zhuǎn)換、電池管理系統(tǒng)及各類高效同步整流應(yīng)用。器件具備優(yōu)良的熱穩(wěn)定性和快速開關(guān)響應(yīng)能力，適合對體積和能效有嚴(yán)格要求的緊湊型電子設(shè)備。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
