BSC0704LSATMA1-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:65A 參數(shù)2：VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:8mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有65A的連續(xù)漏極電流（ID）和60V的漏源擊穿電壓（VDSS），在柵源電壓（VGS）為20V時，導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）低至8毫歐。其低導(dǎo)通電阻有助于顯著降低導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗，提升整體能效。適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動、電池管理系統(tǒng)以及各類需要大電流處理能力的電子裝置，能夠在緊湊布局中實現(xiàn)良好的熱性能與可靠運行。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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