SIS406DN-T1-GE3-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:30A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:9mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有30A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至9毫歐。其低導通電阻有助于減少導通損耗，提升系統效率，在高頻率開關或大電流負載場景中表現穩定。器件適用于對功率密度和熱性能有較高要求的電源管理、電機驅動及各類電子負載控制等應用場合，能夠有效支持高效能電路設計。
