NVMFS5C426NWFT3G_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:219A 參數2：VDSS:40V 參數3：RDON:1.2mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具有40V的漏源擊穿電壓（VDSS），在柵源電壓（VGS）為20V時，導通電阻（RDS(ON)）低至1.2毫歐，可支持高達219A的連續漏極電流（ID）。其低導通電阻有助于減少導通損耗，適用于對效率和熱性能要求較高的高電流開關場景。器件結構優化了開關速度與導通特性的平衡，適合用于電源轉換、電機驅動及大功率負載控制等應用場合。
