NVTFS4C08NWFTWG-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:55A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.7mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具備55A的漏極電流（ID）和30V的漏源電壓（VDSS），在柵源電壓（VGS）為20V時，導通電阻（RDS(ON)）僅為4.7毫歐。低導通電阻有助于降低導通損耗，提升整體能效，適用于高電流開關電源、電池管理系統、電動工具驅動以及各類直流-直流轉換電路。其電氣特性適合需要快速開關響應與高效功率處理的場合，在緊湊型電子設備中可實現良好的熱性能與穩定運行。
