BSC080N03MSGATMA1-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:50A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:6.5mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有50A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至6.5毫歐，在柵源電壓（VGS）達20V時可確保穩定工作。其低導通電阻有助于減少導通損耗，適用于對效率和熱性能要求較高的電源管理、電機驅動及高頻開關等應用場景。器件結構支持高電流承載能力，同時保持較低的功耗，適合需要緊湊布局與高效能轉換的電子系統。
