SI7634BDP-T1-GE3-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.7mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具有80A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，在導通狀態下其導通電阻低至4.7毫歐，柵源驅動電壓最高可達20V。器件采用標準結構設計，適用于對效率和熱性能要求較高的功率開關場景，如電源管理、電機驅動及各類高頻轉換電路。其低導通電阻有助于減少導通損耗，提升整體能效，同時高電流承載能力確保在大負載條件下仍能穩定工作。
