DMT3006LFV-7-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:45A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:6mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備45A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），在柵源電壓（VGS）為20V時，導通電阻（RDS(ON)）典型值為6毫歐。低導通電阻有助于降低導通損耗，提升整體能效，適用于高效率電源轉換、電機控制及高頻開關電路等場合。其電氣特性適合需要大電流承載能力和快速開關響應的電子系統，便于在緊湊布局中實現穩定可靠的功率管理。
