SISA10DN-T1-GE3-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:120A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:2.9mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備120A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）僅為2.9毫歐。低導通電阻有效降低導通狀態下的功率損耗，有助于提升整體能效并減少散熱需求。器件適用于高電流密度的電源系統，如服務器電源、便攜式儲能設備及各類高效直流-直流轉換電路，在頻繁開關或持續大電流工作條件下仍可保持穩定性能。
