DMT3003LFG-7-HXY_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN3X3-8L 類別:場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數(shù)1:ID:100A 參數(shù)2:VDSS:30V 參數(shù)3:RDON:2.5mR 參數(shù)4:TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場效應(yīng)管(MOSFET)具有100A的連續(xù)漏極電流(ID)和30V的漏源擊穿電壓(VDSS),導(dǎo)通電阻(RDS(ON))低至2.5毫歐。其高電流承載能力與極低導(dǎo)通損耗特性,使其適用于對效率和熱管理要求較高的電源轉(zhuǎn)換、電池管理系統(tǒng)及高密度功率模塊等場景。器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化了開關(guān)性能,在高頻工作條件下仍能保持穩(wěn)定可靠,適合需要緊湊布局與高效能表現(xiàn)的電子系統(tǒng)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
- 聯(lián)系電話:18929373249
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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