SIRA06DDP-T1-UE3-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:150A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:1.4mR 參數(shù)4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道MOSFET具備150A的連續(xù)漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導通電阻僅為1.4毫歐，柵源驅動電壓最高可達20V。其超低導通電阻有效降低了導通損耗，在大電流工作條件下仍能維持較低溫升。適用于對效率和熱性能要求嚴苛的電源轉換、電機驅動及高功率負載開關等場景，尤其適合需要高密度布局與高效能表現(xiàn)的電子系統(tǒng)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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