FDMS7678_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.7mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道MOSFET具有80A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至4.7毫歐，在柵源電壓（VGS）高達±20V時仍能穩定工作。其低導通電阻有助于減少導通損耗，提升系統效率，適用于對功率密度和熱性能要求較高的電源轉換、電機驅動及高頻開關等應用場景。器件結構優化了開關特性，兼顧快速響應與可靠性，適合在高電流、低電壓環境中作為高效電子開關使用。
