OSG65R360DEF_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為15A，漏源電壓耐受能力達650V，導通電阻為260mΩ，柵源驅動電壓范圍為-5V至!6V。器件基于碳化硅材料，具備低開關損耗與高效率特性，適用于高頻開關電源、光伏逆變器、不間斷電源及高密度電力轉換系統等場合，在提升系統整體能效和減小體積方面具有顯著優勢。
