VTM303N040LSA_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:120A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:2.9mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具備120A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至2.9mΩ。其低導通電阻特性有助于顯著降低導通狀態下的功率損耗，適用于高效率電源轉換、大電流開關電路以及對熱管理要求較高的電子系統中，能夠穩定支持高負載條件下的長時間運行。
