PHD82NQ03LT-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有80A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導通電阻為5毫歐。其低RDS(ON)有助于顯著降低導通損耗，在高電流工作條件下仍能維持較高的效率和較低的溫升。適用于對功率密度和熱性能要求較高的電源轉換系統，如服務器、通信設備及高性能計算平臺中的同步整流、負載開關和DC-DC轉換模塊。器件在高頻開關應用中亦能保持良好的動態特性。
