TPN5R203PL,LQ_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有60A的連續漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS）以及4毫歐的導通電阻（RDS(ON)）。低導通電阻有效降低導通狀態下的功率損耗，有助于提升整體能效并減少散熱需求。器件適用于高電流、高效率要求的電源管理場景，如開關電源、電池充放電控制及各類便攜式或固定式電子設備中的功率開關應用。
