NTD4804NAT4G_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:120A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:3mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備120A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）僅為3毫歐。低導通電阻有效降低導通狀態下的功率損耗，提升整體能效，同時支持高電流密度運行。適用于需要高效能、低發熱特性的電源轉換、電機控制及高頻開關電路等場景，能夠在緊湊布局中維持穩定可靠的電氣性能。
