STD95N3LLH6-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:100A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:3.8mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有100A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至3.8毫歐。其高電流承載能力與極低導通損耗特性，使其適用于對效率和熱性能要求較高的電源轉換及功率管理場景。器件結構優化了開關速度與導通狀態之間的平衡，在高頻工作條件下仍能維持穩定性能，適合用于各類緊湊型、高密度的電子系統中。
