RQ3E180AJTB1-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:70A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:3.5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具備70A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導通電阻低至3.5毫歐。其低導通電阻有助于減少導通損耗，提升整體效率，在高電流開關應用中表現優異。器件適用于對功率密度和熱性能有較高要求的場景，可有效支持電源管理、電機驅動及各類高效能電子系統中的功率轉換需求。
