NVMFS5C430NLWFAFT1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:219A 參數2：VDSS:40V 參數3：RDON:1.2mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具有40V的漏源擊穿電壓（VDSS），在柵源電壓（VGS）為20V時，導通電阻（RDS(ON)）低至1.2毫歐，可承載高達219A的連續漏極電流（ID）。其極低的導通電阻有效減少了導通損耗，有助于提升整體能效并降低溫升。該器件適用于高電流、高效率要求的電源轉換、電機驅動、電池充放電控制及大功率開關電路等應用，在持續高負載條件下仍能保持穩定工作特性。
