NTMFS5C426NT1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:219A 參數2：VDSS:40V 參數3：RDON:1.2mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET的漏源擊穿電壓（VDSS）為40V，最大連續漏極電流（ID）達219A，導通電阻（RDS(ON)）僅為1.2毫歐（在VGS=20V條件下）。低導通電阻有效降低導通狀態下的功率損耗，適用于高效率電源管理、大電流開關以及對熱性能敏感的電子系統。其電氣參數表明該器件適合在高頻、高負載條件下穩定運行。
