IRLR7811WCPBF-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有80A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至5毫歐。其低導通電阻有助于顯著減少導通損耗，在高電流工作條件下維持較低的溫升。適用于電源轉換、電池保護、電機驅動及各類高效開關電路等應用，能夠在高頻操作中保持良好的開關性能與熱穩定性。
