SI7374DP-T1-GE3-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.7mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具備80A的連續漏極電流（ID）能力，最大漏源電壓（VDSS）為30V，導通電阻（RDS(ON)）低至4.7毫歐，在柵源電壓（VGS）最高達20V時仍能穩定工作。其低導通電阻有助于減少功率損耗和溫升，適合用于高效率電源模塊、電池供電設備、電機驅動及高頻開關電路等場合，能夠有效支持大電流負載下的可靠運行。
