IPD040N03LF2SATMA1-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:120A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:3mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備120A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導通電阻低至3毫歐。其高電流承載能力和極低的導通損耗使其適用于對效率和熱性能要求較高的電源管理場景。器件結構支持快速開關操作，在高頻工作條件下仍能保持穩定性能，適合用于各類高功率密度的電子系統中，如服務器電源、通信設備及便攜式儲能裝置等。
