TPD65R380D_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為15A，漏源耐壓達650V，導通電阻為260mΩ，柵源電壓工作范圍為-5V至!6V。得益于碳化硅材料的特性，器件在高頻開關條件下仍能保持較低的導通與開關損耗，適用于高效率電源轉換、可再生能源系統及高性能計算設備中的功率管理模塊。其寬柵壓范圍提升了驅動兼容性，同時支持負壓關斷以增強抗干擾能力。
