DKI03082-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:7mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備60A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為7毫歐。其較低的導通電阻有助于減少功率損耗，提升系統整體效率。器件適用于中高電流負載場景，在電源轉換、電池管理系統及高效電機控制等應用中可實現良好的熱穩定性和開關性能。由于其電壓等級適中且電流能力較強，適合在緊湊型電子設備中承擔主功率開關角色。
