FDMS8674_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.3mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備60A的連續漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS）、4.3毫歐的導通電阻（RDS(ON)）以及20V的最大柵源電壓（VGS）。低導通電阻有助于降低導通損耗，提升整體能效，同時支持高電流密度工作。適用于高效率電源轉換、便攜式設備供電系統、服務器電源模塊及各類需要高頻開關操作的電子裝置，在熱管理和空間受限的應用中具有良好的適應性。
