DMT3006LFVQ-13-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:45A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:6mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有45A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），在柵源電壓（VGS）為20V時，導通電阻（RDS(ON)）為6毫歐。其低導通電阻有助于有效降低導通狀態下的功率損耗，提升系統效率。適用于對電流承載能力和開關速度有較高要求的電源管理、電機驅動及高頻開關電路等應用，能夠在緊湊的電子系統中實現穩定可靠的性能表現。
